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一种三维存储器及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种三维存储器及其制作方法.pdf

    本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一基底；形成底部沟槽；形成第二叠层结构，并形成绝缘连接结构；形成区块间栅线缝隙，其第一部分在贯穿第二叠层结构且与绝缘连接结构部分重叠，其第二部分与第一部分相邻设置且在贯穿第二叠层结构及第一叠层结构。本发明预先形成贯穿第一叠层结构的底部沟槽，并在底部沟槽中依次填充保护层与沟槽牺牲层，再形成贯穿第二叠层结构且垂直投影位于底部沟槽内的绝缘连接结构，其中，沟槽牺牲层可以作为虚设孔和栅线缝隙刻蚀的停止层，避免绝缘连接结构与栅线缝隙重叠区域在栅线

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768467 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110076733.3 (22)申请日 2021.01.20 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司

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