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浅沟槽隔离结构及其形成方法、掩膜结构.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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浅沟槽隔离结构及其形成方法、掩膜结构.pdf

    本发明涉及一种浅沟槽隔离结构及其形成方法、一种掩膜结构，所述浅沟槽隔离结构包括：衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；位于所述第一区域内的第一沟槽，和位于所述第二区域内的第二沟槽，所述第一沟槽的密度大于所述第二沟槽的密度，且所述第一沟槽和所述第二沟槽的深度相同；填充于所述第一沟槽和所述第二沟槽内的介电层。不同区域内的浅沟槽隔离结构的深度相同，具有相同的隔离效果。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802796 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 20191

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