一种大功率MOS管的封装方法.pdfVIP

一种大功率MOS管的封装方法.pdf

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本发明涉及一种大功率MOS管的封装方法，在MOS管顶部增加了散热层，提高了散热效果；利用散热层与源极导出线路链接，使塑封层中埋置了至少两层金属线路来提高互连层的载电流能力；在MOS芯片上直接焊接铜框架来降低芯片Pad在封装过程中所受物理和化学伤害风险，并降低了贴片精度的要求。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112750709 B (45)授权公告日 2021.11.23 (21)申请号 202110102926.1 H01L 23/367 (2006.01)

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