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- 2023-06-06 发布于四川
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一氮化物型的半导体器件，包括衬底、缓冲体、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一源极/漏极电极、第二源极/漏极电极及栅极电极。缓冲体设置在衬底上，并包括至少一层的氮化物半导体化合物，其位于缓冲体的最顶部。第一氮化物半导体层设置在缓冲体上。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第一源极/漏极电极、第二源极/漏极电极及栅极电极设置在第二氮化物半导体层上。第一源极/漏极电极向下延伸至低于第一氮化物半导体层的位置，以与缓冲体的最顶部形成第一界面，且
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112771677 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202080004016.3 H01L 29/06 (2006.01)
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