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- 2023-06-06 发布于四川
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本申请公开了一种大尺寸半导体材料电导率提升方法及器件,包括:在基于缓冲层进行外延工艺之前,在缓冲层上外延电导层,其中外延的所述电导层材料与所述缓冲层晶格匹配;基于所述电导层,利用分子束外延工艺,外延吸收层。本申请实施例在吸收层下面增加具有高电导率导电层结构,用于提高大面阵红外焦平面探测器的偏压均匀性。使用分子束外延设备在材料外延中一次性完成材料外延制备,减少工艺时间并提升材料外延质量。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115763619 A
(43)申请公布日 2023.03.07
(21)申请号 202211255450.6
(22)申请日 2022.10.13
(71)申请人 中国电子科技集团公司第十一研究
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