一种三向电场可控的LDMOS及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-06 发布于四川
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一种三向电场可控的LDMOS及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种三向电场可控的LDMOS，包括半导体衬底、埋层、有源区，所述有源区包括半导体漏区、条形半导体漂移区和半导体阱区，所述半导体漏区位于条形半导体漂移区一侧台阶处的上方，所述半导体阱区位于条形半导体漂移区的另一侧；三向控制电极，位于条形半导体漂移区的两侧及表面，所述三向控制电极与条形半导体漂移区之间为介质层；三栅电极，位于沟道区的两侧及顶部，形成三栅结构。本发明还公开了一种三向电场可控的LDMOS制备方法。本发明设置三向控制电极，能够获得较高的击穿电压，有效降低LDMOS的导通电阻；设

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112750911 B (45)授权公告日 2022.06.17 (21)申请号 202110147388.8 (51)Int.Cl.