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一种用于提高背照式光电二极管响应度的结构及制作方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种用于提高背照式光电二极管响应度的结构及制作方法.pdf

    本发明涉及半导体光电二极管领域，特别涉及一种用于提高背照式光电二极管响应度的结构及制作方法，包括：衬底，在衬底上生长有吸收层、渐变层、窗口层和欧姆接触层；该结构采用台面型芯片结构；台面型结构的有源区域设置有钝化膜以及由P型金属形成的光栅反射层；从台面下N型接触层引出N电极，与P电极形成共平面电极；本发明通过在P型金属层上设置光栅反射层，使得该层对于光源的反射效率达到80％以上，在加入光栅反射层后不影响原芯片欧姆接触区的导电效果，提高了高速大功率光电二极管的响应度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768550 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011503171.8 (22)申请日 2020.12.18 (71)申请人 中国

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