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半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法；包括：基底，基底内形成焊盘；第一聚合物层，位于基底上；介电层，位于第一聚合物层的上表面；第一开口，沿厚度方向贯穿介电层及所述第一聚合物层；重布线层，位于介电层上及所述第一开口内；第二聚合物层，位于介电层的上表面；第二开口，位于第二聚合物层内。上述半导体结构中通过在重布线层与第一聚合物层之间增设介电层，可以避免对金属刻蚀腔室造成污染，且可以保护第一聚合物层不会造成损伤；又由于介电层的硬度较大，在形成焊线时可以提供应力反馈，从而避免焊线脱落。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112786465 A (43)申请公布日 2021.05.11 (21)申请号 20191

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