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半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法；包括如下步骤：提供基底，基底划分为若干个芯片区域；于基底上形成保护层，保护层覆盖切割道及芯片区域；对保护层进行曝光显影，以于保护层覆盖芯片区域的区域内形成若干个凹槽，凹槽的深度小于保护层的厚度。上述半导体结构的制备方法通过在保护层覆盖芯片区域内形成若干个凹槽，可以增加保护层的表面粗糙程度及表面积，从而提高后段封装时保护层与塑封层的接着性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112786435 A (43)申请公布日 2021.05.11 (21)申请号 20191

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