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本公开提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的AlN缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，其中，所述n型层包括由多个InN层和多个AlInGaN层交替层叠形成的超晶格结构，所述AlInGaN层掺杂有Si，AlInGaN层中的Si与In形成Si‑In共掺结构，Si‑In共掺结构能够有效抑制深受主中心的形成，从而减小自补偿效应，提高载流子的迁移率，InN材料也具有很好的电子输运性能，也有利于载流子迁移率的提高，从而提升n型层的电导率，提
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112786745 B
(45)授权公告日 2022.04.15
(21)申请号 202011609291.6 H01L 33/12 (2010.01)
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