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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明公开了一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置和单晶硅生长方法。该水冷热屏结构包括:水冷热屏本体以及设置于水冷热屏本体内部的气冷装置,其中,气冷装置,用于将惰性气体输送至单晶硅生长区域。该水冷热屏结构能够有效地提升单晶硅生长速度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112760709 B
(45)授权公告日 2022.04.08
(21)申请号 202011561712.2 C30B 15/00 (2006.01)
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