原创力文档- 396
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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明公开一种超低VF软快恢复二极管及其制造方法，该超低VF软快恢复二极管从上到下依次为：第一金属电极、氧化层、肖特基势垒、P+环和P‑阱、N‑高阻层、N+衬底层、第二金属电极，其中，所述肖特基势垒覆盖有源区的非P‑阱区，所述肖特基势垒占有源区面积的4/6‑5/6，所述P‑阱占有源区面积的1/6‑2/6。其通过将SBD二极管与PIN二极管相结合构成一新型的二极管，在PIN二极管的基础上，在有源区额外增加肖特基势垒的小岛，在有源区构成P‑阱区与肖特基势垒交替存在的并联结构，结合了SBD二极管和FR
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112786708 B
(45)授权公告日 2022.03.08
(21)申请号 202110241329.7 (51)Int.Cl.
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