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硅晶片的热处理方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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硅晶片的热处理方法.pdf

    本发明提供硅晶片的热处理方法，在惰性气体气氛下的硅晶片的热处理中，该热处理方法可有效地进行在硅晶片表面的自然氧化膜溶解时所产生的SiO气体的排气，可抑制反应产物在热处理腔室内的堆积，防止滑移的恶化。在900℃以上且1100℃以下的温度区段中保持晶片5秒以上且30秒以下的时间，同时将晶片转速设为80rpm以上且120rpm以下，控制腔室内的惰性气体的供给，使气体置换率成为90%以上。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112805810 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 201980068159.8 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公

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