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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括第一半导体基板、第二半导体基板、耗尽层、隔离结构、第一栅极结构以及第二栅极结构。第二半导体基板位于第一半导体基板上。第一半导体基板与第二半导体基板分别具有第一主动区与重叠于第一主动区的第二主动区。耗尽层设置于第一主动区与第二主动区之间。隔离结构围绕第一主动区与第二主动区。第一栅极结构设置于第二主动区中。第二栅极结构设置于第二主动区中。第二主动区具有位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的部分。借此，本发明的半导体结构，可以改善半导体结构的效能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802842 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 20201

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