原创力文档- 2
- 0
- 约3.72万字
- 约 34页
- 2023-06-06 发布于四川
- 举报
本发明涉及一种晶体生长单元，其包含用于生产和/或扩大单晶(4)的坩埚。所述晶体生长单元包括具有第一热导率的第一隔热体(5)和具有第二热导率的第二隔热体(12)。所述坩埚具有坩埚底、坩埚侧壁和坩埚盖。坩埚侧壁间接或直接被第一隔热体(5)包围。第二隔热体(12)间接或直接布置在坩埚盖上方。第二热导率高于第一热导率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115768929 A
(43)申请公布日 2023.03.07
(21)申请号 202180047557.9 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所
文档评论（0）