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一种发光二极管及制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种发光二极管及制备方法.pdf

    本发明公开了一种发光二极管及制备方法，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；N型半导体层，位于衬底的第一表面上；中间层，位于N型半导体层的上方；中间层的材料为AlxGa1‑x‑yInyN，其中：0≤x≤1，0≤y≤1；中间层在N型半导体层的上方包括至少两个子中间层、以及设置于相邻两个子中间层之间的掺杂层，子中间层的杂质掺杂浓度小于或等于掺杂层的杂质掺杂浓度；有源层，位于中间层的上方；P型半导体层，位于有源层的上方。本发明所述的发光二极管能够改善发光二极管的光电特性，有效的提高发光二极管的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112768576 B (45)授权公告日 2022.04.12 (21)申请号 202110099421.4 H01L 33/32 (2010.01)

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