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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明涉及一种预热环和晶圆外延生长设备,所述预热环包括环形主体,所述环形主体包括对进入晶圆外延生长设备的反应腔内的反应气体进行预热的第一表面,所述环形主体沿其轴向包括与晶圆外延生长设备上的多个进气口一一对应的多个第一区域,晶圆外延生长设备上的多个进气口在所述环形主体上的正投影位于所述第一区域,所述第一区域设置有间隔设置的多个凸起,多个所述凸起由所述第一表面向远离所述第一表面的方向延伸设置。通过所述凸起的设置,对进入反应腔的气体起到分流的作用,从而避免设置双气流通道造成的外延层厚度不均的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768384 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202110102200.8
(22)申请日 2021.01.26
(71)申请人 西安奕斯伟硅片技术有限公司
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