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磁性隧道结结构及其磁性随机存储器.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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磁性隧道结结构及其磁性随机存储器.pdf

    本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性随机存储器，所述磁性隧道结的势垒层为非磁性金属氧化物层/非磁性金属层/非磁性金属氧化物层三层结构制作形成，所述非磁性金属氧化物层的厚度为1‑3个原子层，优选采用镁金属氧化物形成，所述非磁性金属层为不足1个原子层厚度的亚原子层，优选采用镁金属形成，所述磁性隧道结的势垒层在其沉积后保持高真空度下进行的热处理。本申请通过势垒层的复合设计和热处理，解决较薄厚度MgO过氧化问题，同时提升了隧穿磁阻率(TMR)，非常有利于MRAM电路读取性能的提升与制作超小型MRAM电路

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802960 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 20191

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