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一种半导体器件散热结构及其制备方法,半导体器件散热结构包括复合壳体和设置在复合壳体内的热管,复合壳体包括由吸热材料层、过渡材料层和散热材料层依次叠置形成的一体结构,过渡材料层是由吸热材料层和散热材料层的原子相互扩散形成的,在复合壳体位于吸热材料层一侧的表面开设有器件安装部,器件安装部的底面用于设置半导体器件,在散热材料层内形成有用于流通冷却介质的空腔,复合壳体与热管的管壁为一体结构,热管位于器件安装部的底面相背的一侧朝向空腔内延伸。半导体器件散热结构呈一体结构,没有热阻较高的接触界面,多种散热手
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112802811 B
(45)授权公告日 2021.06.25
(21)申请号 202110350442.9 (51)Int.Cl.
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