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一种纳米链结构阵列的制备方法及应用.pdf

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本发明涉及一种纳米链结构阵列的制备方法及应用,包括如下步骤:(1)在基底表面采用湿法刻蚀获得具有条状镂空结构阵列的光刻胶层;(2)在带有该光刻胶层的基底上进行沉积得到金纳米薄膜,然后剥离该光刻胶层,在基底表面得到条状镂空金纳米阵列;(3)进行退火处理,最后在基底上制得以金纳米颗粒为基本单元构成的纳米链结构阵列,纳米链之间相互平行且间距为200nm~1000nm,每条所述纳米链的基本单元为金纳米颗粒,每个所述金纳米颗粒之间的间距为2nm~10nm。本发明方法生产成本低并适于大规模生产,本发明的纳米

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112795870 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202011553992.2 (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人 江苏

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