原创力文档- 4
- 0
- 约1.36万字
- 约 15页
- 2023-06-07 发布于四川
- 举报
本发明提供了一种实现空间光束片上生成的边发射激光器的制备方法，包括：获取隧道级联半导体激光器外延结构，并根据所述隧道级联半导体激光器外延结构进行封装，得到大光腔边发射激光器；利用FDTD单元参数扫描及空间光场分布函数结合MATLAB计算得到所述集成在大光腔边发射激光器上的超构表面相位分布，并选取不同尺寸的纳米柱生成相应结构版图；根据所述相应结构版图，利用聚焦离子束工艺在所述大光腔边发射激光器出光的有源区端面刻蚀超构表面，构建超构表面边发射激光器。本发明解决了现有技术中激光器存在输出功率较小和发散
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116231450 A
(43)申请公布日 2023.06.06
(21)申请号 202310198084.3
(22)申请日 2023.03.03
(71)申请人 北京工业大学
地址 100124
文档评论（0）