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2023-06-07 发布于四川
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一种非对称SRAM存储单元和SRAM存储器.pdf

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本发明公开一种非对称SRAM存储单元和SRAM存储器，属于半导体领域。以解决由于主从结构的引入增加了较多的晶体管和增加了较多的控制信号，会增大芯片面积，增加功耗的技术问题。包括存储元，存储元包括：第一反相器以及第二反相器；第一反相器和第二反相器交叉耦合后，形成有第一存储节点和第二存储节点；第一反相器包括第一P型晶体管和第一N型晶体管；第二反相器包括第二P型晶体管和第二N型晶体管；第一P型晶体管的尺寸参数与第二P型晶体管的尺寸参数不同；和/或，第一N型晶体管的尺寸参数与第二N型晶体管的尺寸参数不同

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802510 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110114509.9 (22)申请日 2021.01.27 (71)申请人中国科学院微电子研究所

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