半导体封装工艺介绍.pptxVIP

半导体封装工艺介绍第1页/共43页 IC Process FlowCustomer客 户IC DesignIC设计Wafer Fab晶圆制造Wafer Probe晶圆测试Assembly TestIC 封装测试SMTIC组装第2页/共43页 IC Package （IC的封装形式）Package--封装体：指芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC）形成的不同外形的封装体。IC Package种类很多，可以按以下标准分类： 按封装材料划分为： 金属封装、陶瓷封装、塑料封装 按照和PCB板连接方式分为： PTH封装和SMT封装 按照封装外型可分为： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；第3页/共43页 IC Package （IC的封装形式） 按封装材料划分为： 金属封装陶瓷封装 塑料封装金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品；陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产品，占少量商业化市场；塑料封装用于消费电子，因为其成本低，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分的市场份额；第4页/共43页 IC Package （IC的封装形式） 按与PCB板的连接方式划分为： PTHSMTPTH-Pin Through Hole, 通孔式；SMT-Surface Mount Technology，表面贴装式。目前市面上大部分IC均采为SMT式的SMT第5页/共43页 IC Package （IC的封装形式） 按封装外型可分为： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等； 决定封装形式的两个关键因素: 封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加； 其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了  芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术；封装形式和工艺逐步高级和复杂第6页/共43页 IC Package （IC的封装形式） QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装 TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装 BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装 CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装 第7页/共43页 IC Package Structure（IC结构图）TOP VIEWSIDE VIEWLead Frame  引线框架Gold Wire 金 线Die Pad 芯片焊盘Epoxy  银浆Mold Compound 环氧树脂第8页/共43页 Raw Material in Assembly(封装原材料)【Wafer】晶圆……第9页/共43页 Raw Material in Assembly(封装原材料)【Lead Frame】引线框架提供电路连接和Die的固定作用；主要材料为铜，会在上面进行镀银、 NiPdAu等材料；L/F的制程有Etch和Stamp两种；易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于40%RH;除了BGA和CSP外，其他Package都会采用Lead Frame， BGA采用的是Substrate；第10页/共43页 Raw Material in Assembly(封装原材料)【Gold Wire】焊接金线实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连接；金线采用的是99.99%的高纯度金；同时，出于成本考虑，目前有采用铜 线和铝线工艺的。优点是成本降低，  同时工艺难度加大，良率降低；线径决定可传导的电流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；第11页/共43页 Raw Material in Assembly(封装原材料)【Mold Compound】塑封料/环氧树脂主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱 模剂，染色剂，阻燃剂等）；主要功能为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来， 提供物理和电气保护，防止外界干扰；存放条件：零下5°保存，常温下需回温24小时；第12页/共43页 Raw Material in Assembly(封装原材料)成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）；有三个作用：将Die固定在Die Pad上； 散热作用，导电作用；-50°以下存放，使用之前回温24小时；【Epoxy】银浆第13页/共43页 Typical