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2023-06-07 发布于四川
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基于FGD NMOS管的电源低电压监测电路.pdf

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本发明提供了一种基于栅极反掺杂NMOS管的电源低电压监测电路，用于监测系统的电源电压VDD是否低于电源电压阈值，其特征在于，包括第一电容器、第二电容器、反相器、第一PMOS管和第一NOMS管；还包括第一电流镜、第二NMOS管、栅极反掺杂NMOS管和第三NMOS管，其中第二NMOS管的栅极用于接收参考电压；第二NMOS管和栅极反掺杂NMOS管的电流密度被调整成使得产生带隙基准电压，从而电源电压阈值为参考电压Vref与带隙基准电压之和，当电源电压低于电源电压阈值时，反相器输出指示信号为低电平。本发明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112798919 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202011610504.7 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人乐鑫信息科技（上海）股份有限公司

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