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本发明涉及一种提高硅APD制结工艺精度的方法，其中，包括：活性区p、正面接触层n+、背面接触层p+制结工艺温度依次降低，工艺时间依次减少，以减少多步高温工艺对结深造成误差积累；在制结工艺过程中通入一定量的三氯乙烯进行含氯氧化，通过三氯乙烯在高温下分解产生水气控制氧化层生长速率，以抵消温度差异对结深造成的影响。本发明在硅APD制造工艺基础上，减少了多步高温工艺对结深造成的误差积累，尤其提高了硅APD活性区p、主结掺杂区n+的制结工艺精度，在制结工艺过程中控制三氯乙烯流量进行含氯氧化，通过三氯乙烯在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112802921 B
(45)授权公告日 2022.10.25
(21)申请号 202011592448.9 H01L 31/107 (2006.01)
(22)申请日 2020.1
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