一种定点产生磁斯格明子的方法.pdfVIP

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2023-06-07 发布于四川
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一种定点产生磁斯格明子的方法.pdf

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本发明属于自旋电子技术领域，具体涉及一种定点产生磁斯格明子的方法。本发明通过聚光离子束增加磁性多层膜的无序度，降低垂直磁各向异性(PMA)，并通过离子束辐照产生人工缺陷，使其Pt、Co、Ta相混合形成合金，从而改变Dzyaloshinskii‑Moriya(DM)相互作用，使磁性多层膜定点产生磁斯格明子。磁性多层膜的薄膜界面Pt、Co、Ta混合层数与离子束辐照剂量有关，本发明可以通过调节离子束辐照剂量来调整磁斯格明子的密度。该方法不仅可应用于基础研究，还可应用于自旋电子器件，如基于磁斯格明子的赛

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116234415 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202310173929.3 (22)申请日 2023.02.28 (71)申请人兰州大学地址 730000