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具有源极选择栅切口结构的三维存储器件及其形成方法.pdfVIP

具有源极选择栅切口结构的三维存储器件及其形成方法.pdf

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    3D存储器件包括包含存储块的存储堆叠层。该存储块在第一横向方向上包括第一存储阵列结构、阶梯结构、第二存储阵列结构，并且在第二横向方向上包括多个串。阶梯结构包括阶梯区域和与阶梯区域相邻的桥结构。3D存储器件还包括SSG切口结构。SSG切口结构包括在第一串和第二串之间的第一部分，并且在第一横向方向上在桥结构中延伸。阶梯区域包括通过桥结构电连接到第一串中的第一存储单元的第一阶梯和通过桥结构电连接到第一存储阵列结构中的第二串中的第二存储单元的第二阶梯。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112805833 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202080004452.0 H01L 27/11548 (2017.01)

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