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2023-06-07 发布于四川
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一种高性能SiC MOSFET器件的制备工艺.pdf

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本发明属于微电子器件制备技术领域，一种高性能SiCMOSFET器件的制备工艺，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC晶片进行清洗，(2)在SiC晶片表面上沉积Si沉积膜，(3)对Si沉积膜进行自停止氧化，(4)对无C残留的SiO2/SiC界面结构进行退火处理，(5)SiCMOSFET源漏区及电极的制作。本发明优点是：在SiC上沉积的Si沉积膜后对Si/SiC结构进行自停止氧化，达到只氧化Si沉积膜而不氧化SiC衬底的目的，从而避免直接干氧氧化SiC在界面积累大量的C，形成缺陷。随后利用氧

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820638 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011572242.X (22)申请日 2020.12.28 (71)申请人大连理工大学地址

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