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2023-06-07 发布于四川
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一种基于MOSFET的过流检测保护电路.pdf

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本发明公开了一种基于MOSFET的过流检测保护电路，属于电力电子领域。电路包括检测电路和保护电路，所述检测电路用于对MOSFET晶体管过流的检测，所述保护电路用于MOSFET晶体管的过流保护，所述保护电流包括门极驱动模块和放大电路模块，门极驱动模块接收来自检测电路的检测信号，并触发门极驱动模块的内部逻辑，发生过流现象时关断MOSFET的驱动信号。同时在检测电路中加入外部电阻及检测电容，通过调节检测电容容值和外部电阻阻值可调节过流检测时间，同时本发明可配置外部电阻和检测电容完成对高速开关器件碳化硅

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112821886 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011537115.6 (22)申请日 2020.12.23 (71)申请人重庆两江卫星移动通信有限公司

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