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本发明公开了一种硅片单侧膜淀积的方法,提出硅片单侧膜淀积的方法,该方法为通过利用原子层沉积(ALD)设备在低温下实现硅片单侧薄膜淀积,即选择合适的背膜,并将此背膜通过一定的技术手段粘附在硅片的背面以防止硅片背面淀积薄膜,在淀积工艺完成后将背膜剥离即可。一般情况下,背膜可以在200℃‑300℃保持12小时而不熔化、收缩或变形。通过背膜的运用,实现了低温下(200℃‑300℃)硅片单侧膜沉积的目的,为后续工艺提供了方便条件。此种方法可应用于氧化铝,氧化铪等薄膜的制备,并且具有简便、易操作、成本低等优
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112802734 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 202011609514.9 C23C 16/455 (2006.01)
(22)申请日
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