GaAs基高功率半导体激光器腔面的氮等离子体清洗方法.pdfVIP

GaAs基高功率半导体激光器腔面的氮等离子体清洗方法.pdf

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本发明公开了一种GaAs基高功率半导体激光器腔面等离子体清洗方法，采用氮等离子体作为清洗源，对GaAs基高功率半导体激光器腔面进行干法清洗，并原位蒸镀SiO2薄膜，用以达到降低表面态，改善发光性能的目的，同时，最大程度去除腔面氧化层又不带来新的损伤。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112838470 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202011435270.7 (22)申请日 2020.12.10 (71)申请人扬州工业职业技术学院

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