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本发明涉及一种具有类突触长期可塑性的忆阻器,其包括自下而上依次层叠的基底、第一阻变层、第二阻变层及顶电极层,基底包括自下而上层叠设置的绝缘层和底电极层,第一阻变层由氧化铝制备,第二阻变层由氧化镓制备。相比于单层纯金属氧化层的忆阻器,本发明得到的忆阻器的阻变效果更好,功耗小、工作电压小,其绝对值小于1V,器件的耐受性和稳定性也有所提高;采用纯溶液法制备,操作简单方便,成本低,设备和和原料投资较少可用于大面积制备,实现大规模工业应用;使用单质金属或单质金属化合物材料作为顶电极层,替代了传统的氧化物材
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112802964 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 202110060974.9
(22)申请日 2021.01.18
(71)申请人 西交利物浦大学
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