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2023-06-07 发布于四川
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基于两级Q表格的DRAM行缓冲器管理方法.pdf

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根据Q‑learning自学习算法的原理，本发明提供一种基于两级Q表格的DRAM行缓冲器管理方法。本发明的创新点在于设计合理的参数来描述行缓冲器的状态，结合DRAM行缓冲器的工作原理，设计合理的动作奖惩值；针对原始Q表格的高昂存储代价，本发明提出两级Q表格的技术方案，根据每个内存行实际的访问情况，按需分配表格条目，避免存储空间的浪费，有效降低存储代价。本发明的优势在于动态适配不同应用程序的内存行访问模式，自学习得到当前系统环境下最优的行缓冲器管理方法，有效提升DRAM行缓冲器的工作效率，降低DA

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112799976 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110186111.6 (22)申请日 2021.02.15 (71)申请人浙江工商大学地址

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