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本发明提供了一种InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的优化方法及其应用,包含GaAs衬底和GaAs间隔层,具体是利用MOCVD方法在GaAs衬底上交替生长量子阱InGaAs和势垒AlGaAs,并在每个InGaAs/AlGaAs阱垒界面处均插入一层GaAs间隔层,有效的减小了In、Al原子偏析的长度,并且减小了AlGaAs势垒厚度,避免了In的扩散,降低了外延生长InGaAs量子阱的难度,有助于提高激光器的内量子效率,增强其光电性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112803240 B
(45)授权公告日 2022.06.21
(21)申请号 202110054432.0 H01S 5/183 (2006.01)
(22)申请日 2021
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