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本发明涉及一种人工晶体生长的温场调控装置。所述人工晶体生长的温场调控装置包括温场调节单元、控制单元以及电磁屏蔽结构。所述温场调节单元包括盖设在晶体溶液容器上方的保温盖,所述保温盖的侧壁上设置有垂直距离不同的散热窗,每个散热窗上都设有可改变散热窗孔洞大小的调节板;所述控制单元根据当前温度信息、电源功率信息以及晶体直径信息,实时调整各调节板的开合方向及速度,实现晶体生长温场的动态调整;所述电磁屏蔽结构消除电磁场对装置的负面影响。本发明保证了高品质大尺寸人工光电单晶的稳定生长,并显著降低单晶生长的电能
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112795980 B
(45)授权公告日 2022.05.20
(21)申请号 202011521644.7 审查员 胡晓珊
(22)申请日 2020.12.21
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