晶片薄膜电阻防水性能提升的改进制成工艺.pdfVIP

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2023-06-07 发布于四川
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一种晶片薄膜电阻防水性能提升的改进制成工艺，工艺步骤包括：1)在绝缘基板(1)表面溅射镀膜形成电阻层，电阻层表面设置AL2O3钝化层作为第一保护层；2)在折条和折粒刻痕线之间，完成镭射修阻工序，通过制程改进优化镭射起刀点位置；3)在镭射修阻工序后，电阻层表面设置第二保护层。突破现有行业固有传统，结合创新设置镭射切线起刀点，在电阻层表面制作二层保护层，达到薄膜电阻的防水要求。以较低的制作成本，实现优良的电阻特性指标，新工艺赋予晶片薄膜电阻器以更多的及更广泛的应用前景。避免环境污染如水汽、有害物质等

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820489 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110200209.2 H01C 1/02 (2006.01)

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