Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料及其制备与应用.pdfVIP

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2023-06-07 发布于四川
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Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料及其制备与应用.pdf

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本发明公开了Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料及其制备与应用。本发明我们以商业化的纳米硅粒子为研究体系，采用光敏化聚合苯乙烯~硅纳米离子乳液、高温煅烧热处理与水热相结合的方式控制合成核壳结构Si@void@C嵌入三维多孔碳网的复合材料。通过紫外光照射聚合苯乙烯，形成聚苯乙烯，高温热解形成碳源，合成工艺简单、绿色，苯乙烯单体价格低廉。本发明避免了以往核壳结构Si@void@C研究工作中涉及的繁复模板引入及其腐蚀性HF对环境的破坏，有效地提升了Si纳米粉体的循环比容量与稳定性，降低了材料成本

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112820870 B (45)授权公告日 2021.11.23 (21)申请号 202011635587.5 H01M 10/0525 (2010.01) (22)申请日

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