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本发明公开一种SRAM单元结构、SRAM存储器以及上电初始化方法，属于半导体领域。以解决由于主从结构的引入增加了较多的晶体管和增加了较多的控制信号，会增大芯片面积，增加功耗的技术问题。所述SRAM单元结构包括存储元，所述存储元包括：第一反相器以及第二反相器；所述第一反相器和所述第二反相器交叉耦合后，形成有两个存储节点。所述SRAM单元结构还包括上电调节电路，所述上电调节电路与至少一个所述存储节点电连接，用于在所述SRAM单元结构上电时，使两个所述存储节点具有不同的固定的上电电位。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112802509 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 202110114508.4
(22)申请日 2021.01.27
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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