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用于处理半导体衬底的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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用于处理半导体衬底的方法.pdf

    提出了用于处理半导体衬底(100)的方法。方法的示例包括通过将离子注入通过半导体衬底(100)的第一表面(102)而在半导体衬底(100)中形成腔体(104)。腔体(104)在半导体衬底(100)中限定分离层(106)。此后，在半导体衬底(100)的第一表面(102)上形成半导体层(108)。半导体器件元件被形成在半导体层(108)中。此后，沿着分离层(106)将半导体衬底(100)分离成包括半导体层(108)的第一衬底部分(1001)以及第二衬底部分(1002)。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864005 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202011354484.1 H01L 21/322 (2006.01)

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