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本发明公开一种虚拟沟道孔的制备方法及三维存储器，所述制备方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上设有多个芯片单元，相邻所述芯片单元之间设有切割道区，所述切割道区内设有一图形对准区；间隔不同预设距离刻蚀衬底，在所述图形对准区形成多个开口；移除所述图形对准区表面的顶层叠置层，暴露所述第五叠置层；在所述多个开口及所述第五叠置层表面沉积隔离材料，形成隔离材料层；平坦化处理所述隔离材料层及所述第五叠置层，使剩余所述隔离材料层与所述第四叠置层表面平齐；移除所述第四叠置层，获得多组规则排列的沟槽，用来供所述虚
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112864163 B
(45)授权公告日 2021.12.07
(21)申请号 202110007211.8 H01L 27/11556 (2017.01)
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