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集成芯片及其形成方法.pdfVIP

集成芯片及其形成方法.pdf

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    本公开多种实施例直指一种集成芯片(IC)，包括下方栅极电极，设置于介电结构中。第一铁电结构覆盖下方栅极电极。第一浮动电极结构覆盖第一铁电结构。通道结构覆盖第一浮动电极结构。第二浮动电极结构覆盖通道结构。第二铁电结构覆盖第二浮动电极结构。上方栅极电极覆盖第二铁电结构。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116234320 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202310064685.5 H01L 29/423 (2006.01)

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