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本发明公开了一种反应堆单晶硅辐照控制系统,包括:竖直设置的反应堆堆芯辐照孔道、待辐照的单晶硅;沿反应堆堆芯辐照孔道的i个高度设置了对应的i个中子探测器;控计算机、单晶硅位置控制装置;主控计算机:在单晶硅位于第N高度时、用“位于第N高度的第N中子探测器的瞬时中子注量率ZLLN”进行积分、得到“单晶硅位于第N高度时的辐照积分总通量ZTLj,N”;根据“单晶硅位于第N高度时的辐照积分总通量ZTLj,N”、…、“单晶硅位于第1高度时的辐照积分总通量ZTLj,1”求和、得到“单晶硅已获辐照总中子通量ZN”
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112885493 B
(45)授权公告日 2022.04.29
(21)申请号 202110069471.8 RU 2193610 C2,2002.11.27
(22)
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