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本发明公开了一种带有温度检测的功率器件，应用于功率器件如IGBT，MOSFET的带温度检测的器件设计，主要是在IGBT，MOSFET等功率芯片中，集成了电阻或者二极管结构，利用电阻或者二极管与温度的线性关系，实时检测芯片的温度。封装也在原有封装的基础上，增加两个管脚，引出信号到控制板，实时监测芯片的工作温度。其带来的应用上的优势在于：监测温度实时、准确；采用在芯片中集成电阻或者二极管结构，工艺比较简单，也大大简化了封装或者PCB加工的物料管理和封装的难度。在单管芯片增加温度采样的功能，可以低成本
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116230713 A
(43)申请公布日 2023.06.06
(21)申请号 202211720645.3
(22)申请日 2022.12.30
(71)申请人 上海维安电子股份有限公司
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