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本发明属于化学镀铜领域,具体涉及一种单晶硅异质结太阳能电池用化学镀铜方法。本发明公开的方法包括:在待镀件表面喷涂表面处理溶液,再通过钯离子活化处理和还原处理,然后将处理后的待镀件浸入由15‑20g/L的铜盐、1‑5g/L的还原剂、0.05‑0.15g/L的稳定剂和20‑30g/L的络合剂组成的镀铜液中,一定时间后将镀铜后的镀件表面用去离子水清洗,再以风刀吹去,最后烘干,本方法在实际应用中能够提高单晶硅异质结太阳能电池的镀层结合力,保持较快的镀铜速度,最终所得产品品质较高,符合产业化的需要。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112853329 B
(45)授权公告日 2022.08.16
(21)申请号 202110014923.2 (51)Int.Cl.
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