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一种掩模版及其制备方法，涉及集成电路制造技术领域。该掩模版的制备方法包括以下步骤：在透光衬底的主图形结构上形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光和显影，以在第二光刻胶层上形成第一遮挡结构，第一遮挡结构覆盖主图形结构，且第一遮挡结构具有至少一个位于主图形结构的相邻两个子结构之间的通孔；在第一遮挡结构上形成氧化物层；对氧化物层和第一遮挡结构进行刻蚀，并保留填充于通孔内的氧化物层以作为散射条，主图形结构和散射条共同在透光衬底上形成掩模图形。该掩模版由上述的掩模版的制备方法制成。该掩模版的制备方法能够
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112882339 A
(43)申请公布日 2021.06.01
(21)申请号 202110073642.4
(22)申请日 2021.01.19
(71)申请人 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
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