1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种单晶生长装置.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.52万字
  • 约 12页
  • 2023-06-08 发布于四川
  • 举报

一种单晶生长装置.pdf

    本发明提供了一种单晶生长装置，涉及晶体生长设备技术领域。该单晶生长装置，包括坩埚和设置在坩埚内部的导热石墨底座、籽晶盖、石墨支柱和多孔石墨盘。坩埚用于装盛碳化硅原料。籽晶盖设置在坩埚顶部。导热石墨底座设置在坩埚底部的中部，且用于传导热量。石墨支柱一端连接导热石墨底座；多孔石墨盘设置在石墨支柱的另一端且遮盖石墨支柱。本发明提供的单晶生长装置可以提高原料的利用率，且提高晶体的品质。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112853479 B (45)授权公告日 2022.07.08 (21)申请号 202011634636.3 C30B 29/36 (2006.01) (22)申请日 2020.12

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >