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- 2023-06-08 发布于四川
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本发明涉及一种大电压裕度范围的匹配电路偏置方法,包括主电路和偏置产生电路,主电路包括晶体管M1和M2,电源Vdd依次通过电阻R、晶体管M2和M1接地;偏置产生电路包括晶体管M3~M6,电源Vdd依次通过电流镜I0、晶体管M4和M3接地,电源Vdd依次通过电流镜I2、晶体管M6和M5接地;在偏置电路中设有电压裕度提升电路,电压裕度提升电路包括电阻Rs和电流源Is,在晶体管M4的漏极与晶体管M3的栅极之间串联电阻Rs,在电阻Rs的上下方向各串联电流源Is,在晶体管M5和M6之间插入晶体管Mx,将Vg
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112860000 B
(45)授权公告日 2022.04.19
(21)申请号 202011639163.6 (56)对比文件
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