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- 2023-06-08 发布于四川
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本技术涉及电子器件以及制造其的方法，该电子器件包括半导体存储器。半导体存储器包括：行线，每个行线在第一方向上延伸；列线，每个列线在与第一方向交叉的第二方向上延伸；存储单元，其位于行线和列线的交叉点处并且包括在第一方向上相对的第一侧壁和在第二方向上相对的第二侧壁；第一保护层，其分别形成在存储单元的第二侧壁上；以及第二保护层，其分别形成在存储单元的第一侧壁上，以及其中，成组的第二保护层部分地围绕列线之中的对应列线的侧壁。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115734618 A
(43)申请公布日 2023.03.03
(21)申请号 202210330998.6 H10N 50/10 (2023.01)
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