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动态存储器及其制作方法、SOC芯片.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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动态存储器及其制作方法、SOC芯片.pdf

    本申请提供了一种动态存储器及其制作方法、SOC芯片，动态存储器包括多个存储单元，存储单元包括依次层叠设置第一MOS管、导电介质层、第二MOS管。存储单元还包括连接结构，连接结构设置在贯穿导电介质层的通孔或过孔内，第一MOS管的第一栅极以及第二MOS管的第二源漏极通过连接结构实现电连接。通过在第一MOS管和第二MOS管之间设置接地的导电介质层，由于导电介质层与连接结构之间彼此绝缘，导电介质层与第一栅极以及第二源漏极也彼此绝缘，因此导电介质层可以屏蔽存储在存储节点上的电荷所产生的电场，即屏蔽了动态存

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116234299 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202210101195.3 (22)申请日 2022.01.27 (71)申请人 北京超弦存储器研究院 地址 10

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