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半导体标记制作方法及半导体标记.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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半导体标记制作方法及半导体标记.pdf

    本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体标记制作方法及半导体标记。半导体标记制作方法包括：提供周向边缘经OPC修正后的图形；在图形上裁剪出多个独立的对准段；拼接多个对准段，以形成周向边缘经OPC修正的半导体标记。通过对周向边缘经OPC修正后的图形进行裁剪后拼接，以此获得周向边缘经OPC修正的半导体标记，即可以在多个对准段拼接后即可形成周向边缘经OPC修正的半导体标记，省去了形成半导体标记后再进行OPC修正的时间，以此提高半导体标记的制作效率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112864023 B (45)授权公告日 2022.04.29 (21)申请号 202110016542.8 (56)对比文件

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